chip ; GaAIAs infrared emitting diodes chips; ED-0161RA, For LED; OPTO TECH, TAIWAN

갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP)등을 재료로하여 P(양극)과 N(음극)을 형성하여 저전압(1.5~5volt)을 가하면 저전류(20~60mA)가 흘러 접합면에서 가시광선을 나타내는 발광다이오드 (LED)에 전용되는 CHIP

본 물품은 전기에너지를 가시광선으로 변환시키는 발광다이오드의 전용 CHIP이므로 특게호인 8541.40-1000호에 분류함이 타당함