ION Dose Measurement System(이온 주입량 측정기) : TP-630XP

ㅇ 주요구성요소 및 용도 - Wafer의 전기적 특성인 전극형성에 필요한 이온(불순물 : 붕소, 인, 비 소등)이 Wafer에 얼마나 주입되었는지(이온개수)를 계측하고, 박막의 두께 (Å)를 측정하는 장비로 반도체 제조에 사용됨 - Main Frame부 : 측정 Process가 진행되고, 측정된 Data를 저장 및 Display함 • ① Pump Laser : 웨이퍼이 주입된 이온을 활성화시키기 위해 에너지 를 가해 주는 역할 • ② Probe Laser : Pump Laser에 의해 이온이 활성화된 Wafer에 Thermal Wave Signal Detector가 감지할 수 있는 파장대역의 Signal을 조 사 • ③ Thermal Wave Signal Detector : Probe Laser에서 조사된 Signal 을 맞고 반사하는 2차 Signal을 감지하여 Wafer내 이온주입량을 측정 - Auto Loader부 : Robot를 이용하여 Wafer를 Wafer Cassette에서 Main Frame의 Stage로 이송하는 장치. Robot와 Wafer Cassette로 구성됨. ㅇ 측정원리 - Wafer를 Loader부에 위치시키고 장비를 실행하면 Robot에 의해 Wafer 가 Main Frame의 Stage로 이동되어 측정이 시작 - ① Pump Laser와 ② Probe Laser에서 Wafer에 Laser를 조사한 후 Wafer 에서 반사되는 Probe Laser의 Signal을 ③ Thermal Wave Signal Detector 가 감지하고, 감지된 data를 이용하여 Wafer내 이온 주입정도를 측정 - 측정이 끝나면 Robot가 Wafer를 Unlaoder 부위로 운반