RIE-300NR

ㅇ 물품 개요 : 플라즈마 건식 방식으로 웨이퍼상의 패턴을 식각 또는 막 을 제거하는 기기 ㅇ 상세 설명 - 외형 : 850*1,680*1,913mm 크기의 물품 - main unit와 진공펌프로 구성 - main unit는 플라즈마 이온방식을 이용하여 막을 제거하는 process module과 제어부, 고주파 발생기로 구성되고, 진공펌프는 process module 을 진공상태를 유지하기 위해 사용 ㅇ 작동 방법 - process module내부에 12인치 웨이퍼를 장착하고, 제어부 조작으로 기 기를 구동 - process module을 진공상태로 만든 후, 반응 가스(CF4, O2)를 유입하 고 고주파를 발생시켜, 플라즈마 상태에서 식각 대상 재료를 제거 ㅇ 기능 및 용도 - 마스크와 식각재료 등을 고감도로 구별(high selectivity), 재료의 일 부를 제거하여 가공하는 기능을 이용하여 - Si, 폴리실리콘, SiO2 등의 재료를 아주 정교하게 식각하거나 - 반도체 제조공정상 오류 분석을 위해 웨이퍼 표면의 보호막 (passivation), 질화막(SiN) 또는 산화막(Oxide layer)을 제거(stripping) 하는 용도로 사용

ㅇ 관세율표 제8456호 는 ‘레이저 또는 기타 광선, 광자빔, 초음파, 방전, 전기화학, 전자빔, 이온빔, 플라즈마아크 방식에 의하여 각종 재료의 일부 를 제거하는 방식의 가공기계’를 분류하고 - 제8456.91호 는 ‘반도체 재료의 건식식각 패턴용의 것’, 제8456.99호 는 ‘기타’로 규정하며 - 관세율표해설서 동호 (H)는 ‘반도체 소재에 건식에칭방식으로 패턴을 새기는 공작기계’중, 이들의 형태를 설명하는 용어에 ‘반응성 이온 에칭 기(RIE)가 있다’고 규정 ㅇ 본건물품은 process module내부에 웨이퍼를 배치하고, 반응성 가스 및 무선주파수에너지를 공급하여 플라즈마를 발생시켜, ‘마스크와 식각재료 를 고감도로 구별하여 건식방식으로 정교하게 패턴을 식각’하거나, ‘반도 체 제조공정상 오류 분석을 위해 웨이퍼 표면의 보호막, 질화막 또는 산화 막을 stripping하는 기능을 갖춘 물품으로 이들 기능은 제8456호 에 포함되 는 기능임 ㅇ 관세율표 제8456.91호 의 ‘반도체 재료의 건식식각 패턴용의 것’은 웨 이퍼상에 반도체의 특성을 나타내는 물질을 건식식각 방식으로 패턴을 만드 는 것이나 - 본건물품은 이러한 패턴 형성하는 기능뿐만 아니라 - 제조공정상의 오류를 분석하기 위하여, 회로가 완성된 웨이퍼상의 보호 막(passivation) 전체를 제거하는 스트리핑 기능도 갖추고 있으며, 이러한 스트리핑은 패턴을 만드는 것(문양을 만드는 것)이 아니라 전체를 깎아 내 는 것으로 제8456.91호 에 해당되는 기능이 아니므로 동호에 분류할 수 없고 - 관세율표 제8456호 용어의 규정(통칙 1및 6)에 의거, 제8456호 의 기타 물품중 ‘반도체웨이퍼를 스트립 또는 세척하는 기기’(HSK8456.99-2000) 로 분류함