품목분류사례
Decoupled Plasma Nitridation(질화막 형성 장비); CENTURA ACP(DPN+)
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이미지 준비중물품설명
□ 물품 개요
웨이퍼(Si/SiO2)에 플라즈마 상태의 N2 가스를 침투시켜 웨이퍼 상단부
(SiO2막)에 질화막(SiON)을 형성시키는 장치
□ 구조 및 기능(신청인 제시 카다로그)
① Loder port : Wafer가 담겨 있는 Foup이 최초/최후 안착되는 부분으
로 FI부와 연결된 Moudule
② FI(Factory Interface) : Load port와 TM간 Wafer의 이송을 담당하
는 Moudule
③ TM(Transfer Moudule) : FI와 각 Chamber간 Wafer의 이송을 담당하
는 Moudule
④ DPN(Decoupled Plasma Nitridation) : SiO2을 SiON으로 변화시키기
위하여 Plasma를 이용하여 Wafer SiO2막 상단에 N2가스를 침투시키는
Process가 이루어지는 Chamber
⑤ RTP PNA(Post Nitridation Anneal) : Lamp Heating 방식으로 열처리
를 진행하여 SiO2막 상단에 침투한 N을 SiON(질화막)으로 안정화 시키는
Chamber
□ 동작원리
- ①Load Port안에 안착된 Foup(Wafer를 25매 담는 용기)의 Wafer를 ②
F.I(FACTORY INTERFACE)부의 Robot가 ③T.M(TRANSFER MODULE)로 이송시키
면
- T.M의 Robot에 의해 Wafer가 ④DPN Chamber로 이송되고 Chamber에 N2
(질소):HE(헬륨) GAS가 Flow되면 RF전원을 걸어 Plasma 형태에서 Wafer표
면에 형성되어 있는 SiO2막 상단에 N이 침투 됨
- T.M Robot을 이용 ⑤PNA Chamber로 이동,
- SiO2 상단부에 N이 침투된 상태의 Wafer를 Lamp Heat와 N2, N2O(아산
화질소)Gas를 이용, 열처리하여 질화막(SiON)으로 안정화 시킴
- 질화막이 형성 된 Wafer는 T.M과 F.I를 거치고 Foup으로 이동 됨.