Chemical compounds doped for use in electronics; SiC Boule

ㅇ Silicon carbide를 고온(2,200~2,700℃)에서 승화시켜 Silicon carbide 단결정을 만들고 질소로 도프처리한 광택이 있는 한쪽면이 볼록한 원반상(상부직경 약 115㎜, 하부직경 약 100㎜, 높이 약 30㎜) - 용도 : 전력반도체(전기차, 신재생에너지, 서버 등에 사용)용 웨이...

ㅇ 관세율표 제3818호에는 “전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된(doped) 화학원소(디스크ㆍ웨이퍼 모양이나 이와 유사한 모양으로 한정한다), 전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된(doped) 화학화합물”이 분류되며, 제3818.00-20호에는 “전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된(doped) 화학화합물...