Chemical compounds doped for use in electronics; SiC Wafer

ㅇ Silicon carbide를 고온(2,200~2,700℃)에서 승화시켜 Silicon carbide 단결정을 만들고 질소로 도프처리한 후 원형으로 절단, 그라인딩 및 연마 등을 거쳐 제조한 광택이 있는 투명한 디스크상 (크기 : 직경 약 100㎜, 두께 약 355㎛) - 용도 : 전력반도체용(전기차, 신...

ㅇ 관세율표 제3818호에는 “전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된(doped) 화학원소(디스크ㆍ웨이퍼 모양이나 이와 유사한 모양으로 한정한다), 전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된(doped) 화학화합물”이 분류되며, 제3818.00-20호에는 “전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된(doped) 화학화합물...