위원회결정사항
- 반도체 웨이퍼 레이저 다이싱기 ; Semiconductor Wafer Laser Dicing System ; ML300 ; JP
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이미지 준비중물품설명
- 완성된 반도체 웨이퍼를 개별 칩으로 절단하기 위해 반도체 웨이퍼 내부에 레이저빔을 집광(focusing)시켜 내부의 변형된 층(단결정 구조 ⇒ 다결정 구조)에 절단선(Scribe Line, 균열층)을 형성함으로써, 다결정으로 변형된 균열층을 따라 반도체 웨이퍼에 형성된 다이를 분리하기 위해 사용되는 장비 ...
결정이유
- 본 기기는 칩이 형성된 반도체 웨이퍼 뒷면에서 레이저 빔을 실리콘재질의 반도체 웨이퍼 내부에 집광시켜, 반도체 웨이퍼의 단결정 구조를 다결정 구조로 변형시키고, 균열층(scribe line, 절단선)을 형성시키는 장비로 - 제84류 주9라“..제8486호의 표현을 만족하는 기계는 이표의 다른 호에 분류하지...