품목분류사례
Doped Sapphire wafers; 4inch(Diameter : 100mm); U.S.A
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이미지 준비중물품설명
GaN가 도핑 처리된 사파이어 웨이퍼로서 GaN층을 제거 후 기판을 연마 가공하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비 테스트용으로 재사용하는 물품
결정이유
- 관세율표 제3818호 에는 “전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된(doped) 화학원소(디스크ㆍ웨이퍼 모양이나 이와 유사한 모양으로 한정한다), 전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된(doped) 화학화합물”이 분류되며, - 동 호 해설서에서 “(2) 전자공업에 사용하기 위하여, 보통 낮은 비율로 특정 첨가제(예: 게르마늄ㆍ요드)를 함유하고 있는, 셀렌화카드뮴과 아황산카드뮴ㆍ비산인듐 등과 같은 화학화합물(실린더ㆍ로드 등의 형상인지 여부ㆍ또는 디스크상ㆍ웨이퍼상 또는 이와 유사한 형상인지의 여부를 불문한다)”을 이 호에 포함되는 물품으로 해설하고 있음 - 따라서, 본 물품은 GaN가 도핑 처리된 사파이어 웨이퍼로서 GaN층을 제거 후 기판을 연마 가공하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비 테스트용으로 재사용하는 물품으로서 전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된 화학화합물로 보아 관세율표의 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 의하여 “제3818.00-2000호”에 분류함