ㅇ 물품 개요 - 도프 처리된 각각의 실리콘 웨이퍼 뒷면에 A, B, C별로 Back metal층*을 각각 물리증착 구현한 물품(도프 처리된 실리콘 웨이퍼에는 Back metal층 외에는 더 이상의 가공은 없음) * Back metal층: IGBT Device에서 Collector(전극) 역할 - 용도: IG...
결정이유
ㅇ 본건 물품은 도프 처리된 실리콘 웨이퍼 뒷면에 Back metal층을 물리증착한 통칙3(나)호의 복합물로 본질적인 특성에 분류하여야 하는 바, 중량, 기능 등을 고려해 볼 때 반도체 디바이스를 가공하기 위한 실리콘 웨이퍼에 본질적인 특성이 있다고 판단됨. ㅇ 관세율표 제28류 주 8호에서 “전자공업에 사용...
