품목분류사례
TRANSISTOR ; BSM50GD120DN2E3226 ;
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물품설명
ㅇ 개요 - 350W의 전력 낭비율을 갖는 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor) 6개와 이를 보호하기 위한 환류 다이오드(FWD : Free-Wheel Diode) 6개를 각각 병렬로 연결한 뒤 107.5mm×45mm×17mm 크기의 플라스틱...
결정이유
ㅇ 관세율표 제85류 주 제9호에서 “이 주에서 규정한 물품을 분류하는 경우 제8541호나 제8542호는, 제8523호의 경우를 제외하고, 특히 그 기능으로 보아 해당 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호보다 우선한다.”고 규정하고 있고, - 관세율표 제8541호에는 '다이오드·트랜지스터와 ...